Эпитаксиальные слои нитридов алюминия и галлия на кремнии

Нитрид галлиевые структуры, которые широко используются в электронных и оптоэлектронных приборах, в настоящее время преимущественно выращивают на сапфировых и карбид-кремниевых подложках. В последнее время возник интерес к получению таких структур на кремниевой подложке. Это обусловлено перспективами интеграции нитрид-галлиевой и кремниевой электроники, возможностью использования подложек больших (до 300 мм) размеров, их низкой стоимостью, хорошей электрической проводимостью. В обзоре представлены экспериментальные результаты эпитаксиального роста, наиболее дешевым методом - методом газофазной хлоридно-гидридной эпитаксии, слоев нитридов галлия и алюминия на кремниевой подложке. Обсуждается новый подход подавления процесса образования дислокаций и одновременного снижения упругой деформации в нитридных слоях на подложке кремния за счёт применения тонкого дополнительного слоя карбида кремния. Авторами рассмотрены возможности эпитаксиального роста слоев нитрида галлия в полуполярном направлении на планарной подложке кремния. Книга будет полезна как студентам и аспирантам, так и профессионалам в области гетероэпитаксии слоев на кремнии.