Трансформация радиационных дефектов и кинетические явления в Si и Ge

В монографии представлены результаты исследований кинетики генерации и трансформации радиационных дефектов вследствие облучения (гамма-квантами, электронами, быстрыми нейтронами) и отжига монокристаллов кремния; изучено влияние водорода на радиационные дефекты в кремнии, исследована термическая стабильность радиационных дефектов в протонно-облученном кремнии; рассмотрены возможности повышения радиационной стойкости кристаллов кремния n- и р-типов, выращенных и легированных разными методами; выявлены характерные особенности кинетических явлений в компенсированных монокристаллах кремния и германия, а также предложен надежный и удобный для практического использования метод определения степени компенсации электрически-активных примесей в многодолинных полупроводниках. Монография предназначена для научных сотрудников и специалистов в области радиационной физики и полупроводникового материаловедения.