Гетероструктуры на основе широкозонных полупроводников

Монография посвящена изучению процессов создания омических контактов к широкозонным полупроводникам – арсениду и фосфиду галлия, оксиду цинка, карбиду кремния и твердым растворам на его основе, исследованиям связи электрофизических, структурных свойств этих контактов с особенностями технологии их изготовления, выяснению механизмов формирования омических контактов к широкозонным полупроводникам, развитию теоретических представлений о закономерностях формирования структур металл – полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников.