Структуры на основе диоксида ванадия

В книге представлены результаты исследований фазового перехода металл-полупроводник и явления электрического переключения в оксидах переходных металлов. В прикладном аспекте МОП структуры на основе оксидов переходных металлов, обладающие переключением с вольтамперной характеристикой S-типа, перспективны с точки зрения использования их в качестве различных электронных устройств и чувствительных элементов сенсорных систем. Определяется это их малыми размерами, сэндвич-конфигурацией, совместимой с современной интегральной технологией, а также – высоким быстродействием и низкой пороговой мощностью. Определённый интерес для приложений представляют также трёхэлектродные структуры Si – SiO2 – VO2, в которых могут быть реализованы эффекты тиристорного и транзисторного типа. Так же изучены особенности модификации электрических свойств анодных пленок диоксида ванадия под действием электроннолучевого облучения, полученные результаты могут быть использованы для создания микропереключательных структур с одинаковыми пороговыми характеристиками.