Баллистический и поверхностный фотогальванический эффект

Прогресс в технологии полупроводников позволил создавать устройства с заданными параметрами, привлекая внимание к поляризационно-зависимым фотогальваническим явлениям. Особое внимание уделяется исследованиям в области полупроводниковой фотоники, включая взаимодействие поляризованного излучения с носителями тока в полупроводниках и их наноструктурах. Эти исследования открывают новые направления в наноэлектронике, фотонике и спинтронике, а также способствуют фундаментальным научным открытиям.