Введение в технологию 3D TSV интегральных схем

В данной работе были подобраны условия и составы растворов, удовлетворяющие всем требованиям, необходимым для получения нанометрических никелевых пленок, которые используются в качестве барьерных и токопроводящих слоев при металлизации труднодоступных участков поверхности полупроводников в технологии 3D TSV интегральных схем. Различными методами (электронно-микроскопическое исследование и др.) получены новые данные о влиянии различных активаторов (палладиевый, медный), солей редкоземельных металлов (лантан, висмут) на процессы образования и роста зародышей новой фазы (Ni-P), а также на состав, структуру и свойства пленок никель-фосфор, формирующихся из раствора химического никелирования на подложках различной природы (кремний, стекло, ITO).