Определение концентрации примесей в очищенных полупроводниках Ge и Si

Среди большого класса полупроводниковых материалов существует небольшое количество элементов, физические явления в которых, не смотря на более чем полувековую историю исследования, являются предметом постоянного всестороннего внимания. К ним относятся те полупроводники, технология получения которых позволяет создать совершенные по структуре монокристаллы с малым содержанием остаточных примесей, что позволяет проводить любое дозированное легирование и компенсацию, то есть создание полупроводников с заданными параметрами. Последнее обеспечивает, с одной стороны, широкое практическое использование этих материалов, с другой - позволяет моделировать целый ряд физических явлений.Книга содержит целый ряд параметров и коэффициентов для Ge и Si, значения которых были уточнены в результате многократных измерений большого числа образцов (более 200) в широком диапазоне значений концентрации примеси и степени их компенсации. Эта информация может быть особенно полезна тем научным сотрудникам и аспирантам, которые занимаются полупроводниковой метрикой, технологам, получающим эти материалы и контролирующим их качество, а также студентам, интересующимся полупроводниковой тематикой.