Поверхностно-чувствительные воздействия на полупроводник

Изучение влияния поверхности и приповерхностной области на оптические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых кристаллов представляет собой актуальную проблему. Актуальность этой проблемы, прежде всего связана с потребностями современной опто- и микроэлектроники, а также с необходимостью дальнейшего развития перспективных методов исследования поверхности и границ раздела в полупроводниках и полупроводниковых гомо- и гетероструктурах, играющих исключительно важную роль в современной науке и технике. Особое место среди этих методов занимает оптическая и фотоэлектрическая экситонная спектроскопия поверхности и приповерхностной области полупроводника. Высокая чувствительность и неразрушающий характер метода, его информативность и экспрессность делают этот метод уникальным для практических и научных целей. Вместе с тем, широкое применение этого метода сдерживается недостаточной разработкой фундаментальных вопросов о механизмах взаимодействия экситона с поверхностью и приповерхностной областью полупроводника, а также вопросов связанных с формированием особенностей в экситонных спектрах, обусловленных этими механизмами.