Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления

Разработка элементов памяти, сочетающих в себе преимущества всех распространенных технологий хранения информации – актуальная задача современной микро- и наноэлектроники. Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления. В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти. Описана динамическая комбинированная модель ячейки на основе структур ферромагнетик/диэлектрик/полупроводник, отличающаяся учетом переключения намагниченности ферромагнитного слоя магнитным полем, а также макромодель для использования в составе программных комплексов проектирования ИМС. Книга предназначена для инженеров и научных сотрудников, а также может быть полезна для аспирантов и студентов старших курсов, использующих модели электронных элементов в своих исследованиях.