Физические основы твердотельной электроники и наноэлектроники

Актуальность данной работы обусловлена широкой областью применением лазерных полупроводниковых излучателей. Мощные лазерные диоды находят применение в лазерных устройствах военного и медицинского назначения, промышленности, системах накачки твердотельных и волоконных лазеров. По сравнению с ламповыми устройствами накачки лазерные диоды обеспечивают максимальный КПД накачки, высокие эксплуатационные характеристики и значительный срок службы. Большая мощность излучения лазерных диодов позволяет использовать их для создания приборов, широко применяемых в системах обеспечения безопасности, связи, технологии и других областях. Целью работы является создание гетероструктур на основе арсенида галлия для импульсных лазерных полупроводниковых излучателей, позволяющих получать лазерный пучок с заданными значениями мощности, расходимости и длины волны и обладающих необходимыми ватт-амперными и вольт-амперными характеристиками.