LAP Lambert Academic Publishing ( 2017-12-19 )
€ 21,70
В работе изложены принципы получения новых сложных полупроводниковых соединений твердых растворов новых бинарных соединений типа АIIIBVI, с помощью теории псевдопотенциала были рассчитаны зонные структуры тройных соединений TlInSe2, TlGaTe2, InGaSe2, TlInTe2, InGaTe2 и выявлено, что их валентную зону можно разделить на три подгруппы. Верхняя группа шириной ~4эВ, обязана своим происхождением p-состояниям TlI, TlII и халькогенидов. Анализ волновых функций валентных состояний показывает, что самая нижняя группа, около -12эВ, состоящая из четырех зон своим происхождением обязана s- состояниям катиона. В зонном спектре s-состояния халькогенидов и s-, d-состояния катионов III группы образуют отдельные группы. Сравнение рассчитанных результатов с имеющимися теоретическими и экспериментальными данными показывает удовлетворительное согласие, в том числе ширины запрещенной зоны вышеуказанных соединений.
Book Details: |
|
ISBN-13: |
978-620-2-02408-2 |
ISBN-10: |
6202024089 |
EAN: |
9786202024082 |
Book language: |
Russian |
By (author) : |
Эльдар Годжаев |
Number of pages: |
60 |
Published on: |
2017-12-19 |
Category: |
Electricity, magnetism, optics |