LAP Lambert Academic Publishing ( 2019-06-17 )
€ 39,90
В выпускной квалификационной работе исследовалось влияние конструкции контактного слоя и его рецесса на электронный транспорт в PHEMT нанотранзисторах на гетероструктурах на основе AlGaAs/InGaAs. Были изучены основные принципы работы PHEMT нанотранзисторов и программные средства, позволяющие численно промоделировать работу транзистора. Выбраны наиболее подходящие для поставленной задачи модели. С помощью программного обеспечения Sentaurus рассчитаны и построены графики ВАХ, распределения потенциала, напряженности электрического поля, скорости и концентрации электронов вдоль канала транзистора для различной концентрации легирования контактного слоя.
Book Details: |
|
ISBN-13: |
978-620-2-02585-0 |
ISBN-10: |
6202025859 |
EAN: |
9786202025850 |
Book language: |
Russian |
By (author) : |
Марат Фаритович Тагиров |
Number of pages: |
52 |
Published on: |
2019-06-17 |
Category: |
Electricity, magnetism, optics |