Кристаллы Ge-Si и их свойства

В работе представлены результаты исследований по получению сложнолегированных кристаллов Ge-Si, с заданным составом и концентрацией примесей меди, индия и сурьмы, а также по электротранспортным свойствам и спектру примесных состояний в этих материалах.В приближении полностью размешенного расплава, решена теоретическая задача по концентрационному распределению основных компонентов и примесей в кристаллах твёрдых растворов, выращенных из расплава консервативными и неконсервативными методами. Показано, что полученные математические соотношения удовлетворительно описывают экспериментальные данные по распределению компонентов и примесей индия и сурьмы в кристаллах германий-кремний. Разработаны методики выращивания и легирования примесями In и Sb кристаллов Ge-Si (0≤х≤0,30) с заданной концентрацией примесей методом направленного концентрационного переохлаждения и консервативным методом Бриджмена. Установлено, что коэффициенты сегрегации исследованных примесей изменяются линейно с составом твёрдых растворов германий-кремний.