Влияние изо- и гетеровалентного замещения

Работа посвящена исследованию природы центров, создаваемых легированием при изо- и гетеровалентном замещении, и их влияния на кинетику реакций с участием носителей тока, генерируемых светом в CdTe. Поликристаллический CdTe является дешевым и перспективным материалом для солнечной энергетики.Однако КПД создаваемых в настоящее время фотопреобразователей на основе гетероперехода CdS/CdTe значительно ниже теоретического. Другое перспективное направление практического использования поликристаллического CdTe – создание на его основе детекторов рентгеновского и гамма-излучения.Поскольку в основе создания детекторов и фотопреобразователей лежат процессы разделения и рекомбинации, генерируемых излучением носителей заряда, отсутствие сведений о количественных характеристиках электрон-ионных процессов твердых растворов на основе теллурида кадмия, а также их связях с особенностями структуры существенно ограничивает возможности проведения оценок предельных характеристик устройств и, в результате, сдерживает прогресс в данной области. Поэтому изучение влияния условий синтеза на кинетику электрон-ионных процессов в твердых растворах на основе теллурида представляется актуальным.