LAP Lambert Academic Publishing ( 2012-07-19 )
€ 49,00
Структуры кремний-на-сапфире (КНС) используются для создания быстродействующих интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью. В работе приведены результаты исследования монокристаллических субмикронных слоев кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимационного источника Si. Сообщаются некоторые особенности разработанных устройств для роста слоев кремния на сапфире из сублимационного источника Si, расположенного в камере роста сверхвысоковакуумной установки. Рассматриваются вопросы подготовки поверхности сапфира перед ростом путем отжига и исследуются начальные стадии роста слоев кремния, а также влияние технологических параметров роста (температура, скорость, толщина, использование двухтемпературного режима роста, облучение поверхности роста низкоэнергетическими ионами) на структуру и морфологию слоев кремния на сапфире. Отмечается, что температура роста слоев кремния на сапфире в данном методе может быть снижена до 500ºC по сравнению с другими методами. Сообщается о некоторых электрических и оптических параметрах выращенных КНС-структур.
Book Details: |
|
ISBN-13: |
978-3-8484-2311-8 |
ISBN-10: |
3848423111 |
EAN: |
9783848423118 |
Book language: |
Russian |
By (author) : |
Сергей Денисов |
Number of pages: |
88 |
Published on: |
2012-07-19 |
Category: |
Technology |