Электронная структура нанопленок на основе бинарных материалов

Многослойные системы типа CaF2 – CoSi2 – Si, GaAlAs – GaAs в настоящее время широко применяются в структурах кремний (или иной полупроводник) на диэлектрике, приборах на основе МДП – структур. Они также применяются для создания вспомогательных элементов приборных структур микроэлектроники, включая защитные и диэлектрические слои для материалов А3В5, оптические покрытия и окна для оптоэлектроники, монокристаллические высокоразрешающие резисты, буферные слои для создания на основе кремния новых гетерокомпозиций, например, алмаз – на кремнии и т.п. В данной работе приведены результаты комплексного изучения механизмов модификации и особенностей образования наноразмерных структур в поверхностных слоях PdBa, CoSi2, CaF2 и GaAs при низкоэнергетической ионной бомбардировке с последующей термической и лазерной обработкой.