Слабо связанные волноводы

В настоящее время чрезвычайную актуальность приобрела задача математического моделирования наноразмерных систем. При этом в основном используются численные методы, разрабатываются программы расчёта конкретных параметров наноструктур. Такие методы имеют как достоинства, так и очевидные недостатки, связанные с трудностью качественного анализа поведения системы и поиском параметров системы, обеспечивающих требуемые свойства. В настоящей работе строится математическая модель планарной полупроводниковой наноструктуры, основанная на асимптотическом анализе системы. На базе построенной модели предлагаются конструкции новых наноэлектронных устройств: квантового переключателя, электронной ловушки, двухпозиционного квантового переключателя, квантового интерференционного транзистора. Полученные в работе теоретические результаты могут использоваться и для описания резонансных эффектов в связанных оптических волноводах.