Микроэлектроника СВЧ

К основным тенденциям современной твердотельной электроники относятся повышение рабочих частот приборов и устройств, а также стремление ко все большей миниатюризации и интеграции функций элементов в пределах одной монолитной схемы. Поэтому, в настоящее время большой интерес вызывает разработка твердотельных СВЧ устройств, содержащих активные элементы с распределенными параметрами. Устройства на волнах пространственного заряда в полупроводниках обладают широкими функциональными возможностями, которые аналогичны возможностям акустоэлектронных устройств, но превосходят последние по рабочим частотам более чем на порядок. Данные устройства могут выполнять в СВЧ диапазоне такие радиотехнические функции, как усиление, генерация, задержка и изменение фазы сигналов, а также многие другие. В данной работе проведено исследование спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP или n-GaN, определены конкретные подходы и рекомендации по конструированию функциональных устройств миллиметрового диапазона на волнах пространственного заряда