Двух затворные неравномерно легированные полевые нанотранзисторы

В книге представлен новый подход для разработки физических моделей двух затворных полевых нанотранзисторов выполненных на основе тонкопленочной технологии «кремний на изоляторе», которые находят свое применение для решения широкого круга задач высокоскоростной обработки информации. Материал книги дает прекрасную иллюстрацию возможностей передовых нанотранзисторных технологий и делает очевидным тот факт, что в сочетании с методами динамического управления питанием инновационные микроэлектронные устройства позволяют эффективно решать важные прикладные задачи. Книга ориентирована на широкий круг специалистов в области моделирования и проектирования интегральных микросхем. Она в полной мере отражает не только физические эффекты, но и технологические трудности, стоящие при схемотехнической реализации полупроводниковых приборов, поэтому ее материал будет являться еще более ценным для читателя.