LAP Lambert Academic Publishing ( 03.07.2014 )
€ 45,90
Во второй части рассмотрены основы функционирования субмикронных гетероструктурных полевых транзисторов различной модификации, в том числе с квантовыми точками, мощных транзисторов (гетерополевых, гетеробиполярных, МОП), приведены методы и результаты их моделирования. Описана модель резонансно-туннельных диодов с использованием метода огибающей волновой функции. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению «Микро- и наноэлектроника», может быть полезно студентам других специальностей и аспирантам вузов, но авторы надеются, что оно сможет представить интерес для читателей, связанных с СВЧ электроникой.
Kitap detayları: |
|
ISBN-13: |
978-3-659-55331-8 |
ISBN-10: |
365955331X |
EAN: |
9783659553318 |
Kitabın dili: |
Russian |
Yazar: |
Владимир Александрович Москалюк |
Sayfa sayısı: |
216 |
Yayın tarihi: |
03.07.2014 |
Kategori: |
Elektronik, elektrik ve haberleşme teknolojileri |