ЭУФ литография на длине волны 13,5 нм

Проекционная литография с длиной волны 193 нм в настоящее время является ключевой технологией при производстве элементов микроэлектроники с помощью которой осуществляется "запись" топологического рисунка на фоторезисте с последующим проявлением. Благодаря применению различных методов улучшения изображений разрешение литографических установок уже превзошло дифракционный предел и достигает 32 нм. Ценой этого является ограниченный набор топологий, снижение производительности и дороговизна литографического процесса. Экономически выгодное освоение технологических норм 10-30 нм связывается с литографией экстремального ультрафиолетового (ЭУФ) диапазона, в котором основой оптических элементов являются многослойные интерференционные структуры (МИС). Несмотря на успехи, подтвердившие перспективы ЭУФ литографии для формирования наноструктур, на пути к коммерческому литографу на 13,5 нм предстоит решить ещё ряд научных и технологических проблем. В данной работе предлагаются методы диагностики и оптимизации МИС, изучаются чувствительность и разрешение ЭУФ резистов, источники ЭУФ излучения, получены первые изображения методом контактной литографии.