Структура и свойства аморфных пленок халькогенидных полупроводников

Работа посвящена изучению структуры и электронных свойств пленок состава As40Se30S30, полученные методом термического испарения в ваккууме. Объектом исследований являются тонкие аморфные пленки халькогенидных стеклообразных проводников состава As40Se30S30, полученные методом термического испарения в вакууме. Цель работы заключается в исследовании структуры и электронных свойств тонких аморфных пленок халькогенидных стеклообразных проводников состава As40Se30S30, полученных методом термического испарения в ваккууме. Итогом проведенных исследований являются новые результаты, составляющие физические основы структурной и примесной модификации электронных процессов в некристаллических полупроводниковых средах. Исследована структура и электронные процессы в аморфных пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников, полученных методом термического испарения в вакууме.