LAP Lambert Academic Publishing ( 19.12.2017 )
€ 21,70
В работе изложены принципы получения новых сложных полупроводниковых соединений твердых растворов новых бинарных соединений типа АIIIBVI, с помощью теории псевдопотенциала были рассчитаны зонные структуры тройных соединений TlInSe2, TlGaTe2, InGaSe2, TlInTe2, InGaTe2 и выявлено, что их валентную зону можно разделить на три подгруппы. Верхняя группа шириной ~4эВ, обязана своим происхождением p-состояниям TlI, TlII и халькогенидов. Анализ волновых функций валентных состояний показывает, что самая нижняя группа, около -12эВ, состоящая из четырех зон своим происхождением обязана s- состояниям катиона. В зонном спектре s-состояния халькогенидов и s-, d-состояния катионов III группы образуют отдельные группы. Сравнение рассчитанных результатов с имеющимися теоретическими и экспериментальными данными показывает удовлетворительное согласие, в том числе ширины запрещенной зоны вышеуказанных соединений.
Kitap detayları: |
|
ISBN-13: |
978-620-2-02408-2 |
ISBN-10: |
6202024089 |
EAN: |
9786202024082 |
Kitabın dili: |
Russian |
Yazar: |
Эльдар Годжаев |
Sayfa sayısı: |
60 |
Yayın tarihi: |
19.12.2017 |
Kategori: |
Elektrik, manyetizma, optik |