Одним импульсом

Приведены изображения металлических объектов, близко расположенных (1мм – 2мм) за металлическими экранами толщиной до 1мм, записанные на магнитный носитель (МН) одним импульсом магнитного поля с обратным выбросом и со временем нарастания менее 0,0001 с. Показаны зависимости электрического напряжения от времени, соответствующие зависимостям напряжения от расстояния и воспроизведенные магнитной головкой при сканировании ею МН. Приведены результаты контроля свойств металлических объектов в отраженной и прошедшей полуволне. Получены аналитические зависимости величины тангенциальной составляющей напряженности вторичного магнитного поля от времени и от толщины объекта. Найдены экспериментальные постоянные переходного процесса. Предложены способы и устройства контроля удельной электропроводности, толщины объекта и наличия в нем дефектов. Изучено явление возникновения распределений остаточных магнитных полей на МН в результате последовательного воздействия на него импульсами магнитного поля, названное гистерезисной интерференцией импульсного магнитного поля, а также явление гистерезисной дифракции.