Спектрофото- метрический анализ тонких пленок сплавов a-Si:H и a-nk-C:H

Получение гидрогенезированных тонких пленок методом реактивного магнитного распыления, плазмохимического осаждения, высокочастотного тлеющего разряда. Изучение структурных характеристик легированных а-Si1-xGex:H (x=0÷1), a-Si¬1-xCx:H (x=0÷1). Изучение электрофизических, термоэлектрических и оптических свойств и ЭПР поглощения аморфных пленок а-Si1-xGex:H (x=0÷1), a-Si¬1-xCx:H, a-Si¬1-xGex:H (x=0÷1). Определение в пленках а-Si1-xGex:H и a-Si¬1-xCx:H (x=0÷1) количества водорода оптическим методом, используя для этого метод эффузии, ЯМР, метод ИК поглощения, а также вторичных масс спектрометрический анализ. Создание солнечных элементов на основе а-Si1-xGex:H и a-Si¬1-xCx:H (x=0÷1), а также на основе нанокристаллического кремния-углерода. Создание двухслойных детекторов на основе а-Si1-xGex:H и нанокристаллического кремния-углерода.