Дефекты и низкоразмерные структуры в приповерхностных слоях германия

В книге рассмотрены физические закономерности образования дефектов в приповерхностных слоях Ge в процессе деформации изгиба или сжатия в температурном интервале 300-600К. Исследовано влияние дефектов, введенных в тонкий приповерхностный слой, на эффективное время жизни неосновных носителей заряда. На основе рассмотренной теории рекомбинации изложен новый неразрушающий метод определения степени дефектности в приповерхностных слоях монокристаллов Ge, который имеет высокую структурную чувствительность и локальность измерений. Описаны результаты оптической, электронной и атомно-силовой микроскопии деформированных монокристаллов Ge при температуре Т<0,35Тпл. Показано, что при создании в приповерхностных слоях градиентов напряжений возникает массоперенос вещества вдоль поверхности и из приповерхностного слоя - вдоль линий дислокаций на поверхность. Предложен новый механизм формирования наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии. Полученные результаты способствуют развитию нового подхода к созданию низкоразмерных полупроводниковых структур, основанного на явлениях низкотемпературной диффузии в приповерхностных слоях Ge при наличии градиента механических напряжений.