Электронные свойства наноструктированных материалов соединений А2В6

метод химического осаждения из водных растворов позволяет получать полупроводниковые нанокристаллы намного меньшего размера, чем методы молекулярно-лучевой эпитаксии или литографии. Зарождение зародышей и их рост в растворе при химическом осаждении приводит к форме нанокристаллитов, близкой к сферической, в то время как нанесение пленок методами молекулярно-лучевой эпитаксии или электрохимическим осаждением — к несферической. Сферическая форма нанокристаллов очень важна для достижения оптимального дискретного спектра энергетических уровней квантовых точек. несмотря на наличие большого числа работ по исследованию электронных свойств монокристаллов твердых растворов и пленок соединений А2В6, полученных различными способами, в научной литературе в основном приводятся результаты по исследованию n-CdS. Лишь в редких случаях раcсматриваются р-CdS ограниченной толщины, которые получены на поверхности монокристаллов CdS методом ионной имплантации элементов V группы, а сообщения о р-n переходах на основе сульфида кадмия практически отсутствует.