Рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n(001)

Книга посвящена изложению основ теоретического описания процессов внутри- и междолинного рассеяния электронов на длинноволновых и коротковолновых фононах в полупроводниковых сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n(001). Результаты получены с применением первопринципных и феноменологических методов исследования электронных и фононных состояний. Основное внимание уделено выяснению влияния квантово-размерных эффектов на вероятности электронных переходов в нижних зонах проводимости сверхрешеток. Установлены особенности электронного, фононного спектров и механизмов электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках по сравнению с их бинарными компонентами. Впервые получены междолинные деформационные потенциалы для всех интенсивных каналов рассеяния электронов на фононах в сверхрешетках с разной толщиной слоев. Книга предназначена для специалистов в области моделирования оптических и транспортных свойств наноматериалов, преподавателей и студентов.