Оптические свойства гетероструктур на основе соединений InAsSb

Предметом данной работы является вычисление коэффициента поглощения излучения и скорости излучательной рекомбинации в узкозонных полупроводниковых соединениях InAsSb и в глубоких квантовых ямах на их основе. Подробно описана модель Кейна как наиболее точный способ расчета энергетического спектра и волновых функций носителей заряда в полупроводниковых структурах A3B5. Произведено сравнение результатов расчетов оптических характеристик в рамках модели Кейна с результатами расчетов в рамках простого параболического приближения. Показано, что для гетероструктур с глубокими квантовыми ямами крайне важно учитывать непараболичность энергетического спектра носителей заряда, так как она приводит к значительным поправкам к коэффициенту поглощения и скорости излучательной рекомбинации даже для основного уровня размерного квантования.