Наноразмерные структуры на поверхности фосфида индия

Полупроводник фосфид индия имеет большие перспективы широкого научно-технического использования. Травление фосфида индия в фторсодержащих и хлорсодержащих средах входит в арсенал методов современной микроэлектроники, позволяющих формировать объекты с пониженной размерностью. Пористый InP обладает различными физико-химическими свойствами: фото- и электролюминесценции, адсорбционной чувствительностью, свойствами фотонных кристаллов. Для прикладных целей необходима отработанная, оптимизированная технология формирования por-InP, а также выявление физических закономерностей, которые обеспечат получение пористых слоев с воспроизводимыми характеристиками. Монография посвящена технологическим основам получения пористого InP методом электрохимического травления фосфида индия, изучению люминесцентных, структурных и морфологических свойств пористых слоев InP, влиянию дефектов на процесс порообразования. Монография предназначена для специалистов, работающих в отрасли нанотехнологии, а также для студентов высших учебных заведений.