Создание фотошаблонов методом лазерной безмасковой литографии

Основное место в современной технологии изготовления изделий микроэлектроники занимает фотолитография. Технологический процесс фотолитографии состоит из нескольких основных операций: подготовки поверхности полупроводниковой пластины, нанесения на поверхность пластины слоя фоторезиста, сушки фоторезиста, экспонирования, проявления и задубливания фоторезиста, контроля геометрических размеров изображения, травления пленки, промывки пластины после травления, удаления пленки фоторезиста с поверхности, контроля обработанных пластин. Целью работы являлось получение фотошаблонов с минимальными параметрами, возможными для данного оборудования. Для этого исследовалось влияние времени экспозиции и времени проявления на параметры фотошаблонов (характер рисунка), полученных методом безмасковой лазерной литографии на установке экспонирования «Heidelberg µPG501». В результате выполнения работы были изготовлены фотошаблоны с геометрическими параметрами 2 мкм, при этом для данной партии установлены оптимальные время экспозиции 35 мс и время проявления 60 с .