Гистерезис и релаксация в сегнетоэлектриках и сегнетомагнетиках

Широкий спектр применения сегнетоэлектрических и сегнетомагнитных материалов в настоящее время будет расти и в будущем в первую очередь в связи с развитием микроэлектроники и вычислительной техники. В данной работе впервые для модельного описания гистерезисных явлений в сегнетоэлектриках и сегнетомагнетиках предложен и реализован метод теории выбросов случайных процессов для учета взаимодействия доменных границ с дефектами кристаллов, установлены границы применимости этого подхода и намечены направления для дальнейших исследований в этой области. Кроме того, предложено теоретическое описание внутреннего трения, динамических модулей Юнга и сдвига для сегнетоэлектриков типа смещения в полях быстрых случайных осцилляций, влияние которых на эти процессы весьма существенно.