Полупроводниковые гетероструктуры в современной оптоэлектронике

Монография объединяет и обобщает результаты исследований и практического применения фосфида индия (InP) и гетероструктур на его основе – перспективных материалов и структур в современной оптоэлектронике. Рассматриваются достижения в области технологии получения монокристаллов InP, при этом особое внимание уделяется технологии эпитаксиального роста тонких слоев многокомпонентных твердых растворов GaInPAs изопериодичных с InP. Обсуждены проблемы практической реализации этих материалов, рассмотрены основы конструирования изопериодических систем, позволяющих прогнозировать свойства многокомпонентных твердых растворов и гетероструктур на их основе. Значительное место отводится изготовлению и исследованию гетероструктур с ультратонкими слоями с применением новых эпитаксиальных процессов - газовой эпитаксии из металлоорганических соединений и молекулярно-пучковая эпитаксия, что привело к бурному развитию нанотехнологий и созданию совершенно новых наногетероструктур с квантовыми ямами, квантовыми точками и т.д. Книга предназначена для научных работников, инженеров, аспирантов и техников соответствующих специальностей.