LAP Lambert Academic Publishing ( 2018-03-05 )
€ 41,90
Как известно, на основе переходов металл-полупроводник (МП) и металл–диэлектрик–полупроводник (МДП) создаются современные микросхемы и электронные компоненты. В таких МП и МДП структурах состояние поверхности полупроводника, его однородность и фазовый состав играют определяющую роль в формировании энергетического барьера. Имеющиеся литературные данные носят противоречивый характер – с ростом содержания германия в монокристаллах Si(1-x)Ge(x) наблюдается как рост высоты барьера, так и его уменьшение. Исследованные в работе структуры создавались путем вакуумного термического напыления слоев металлов (Al,Au,Ni и Ti) на поверхность монокристаллов Si(1-x)Ge(x) с различной концентрацией поверхностных состояний Nss, величина которой зависела от режима химического травления монокристаллов. Показано, что при большой концентрации Nss высота барьера, почти не зависит от типа металлов. В образцах с малой концентрацией Nss высота барьера растет с ростом содержания германия в кристаллах и достигает до ~1эВ (рекордная величина для материала на основе кремния). Книга предназначена для специалистов в области полупроводникового материаловедения.
Book Details: |
|
ISBN-13: |
978-613-7-37672-0 |
ISBN-10: |
6137376729 |
EAN: |
9786137376720 |
Book language: |
Russian |
By (author) : |
Мардонбек Хажиев |
Number of pages: |
128 |
Published on: |
2018-03-05 |
Category: |
Electronics, electro-technology, communications technology |