Легирование полупроводников методом ядерных реакций

Легирование полупроводников методом ядерных реакций. В монографии рассмотрены физические основы нового метода легирования полупроводников, базовым элементом которого являются ядерные реакции, протекающие в обьеме полупроводника под действием быстрых заряженных частиц, нейтронов, высоко энергетического гамма излучения, а также неизбежно возникающие побочные явления- образование радиационных дефектов, кинетика их накопления и отжига. Приведены подробные данные о технологии равномерного облучения объемных слитков нейтронами в зависимости от специфики конструкции ядерного реактора, рассмотрены среда и режимы отжига радиационных дефектов, требования к исходному материалу и электрофизические свойства легированных кристаллов кремния. Проанализированы источники радиоактивной загрязненности слитков в процессе облучения и технологические приемы дезактивации их до безопасного уровня. Монография рассчитана на научных работников и производственный персонал, интересующихся проблемами радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения полупроводников и приборов на их основе, а также аспирантов и студентов соответствующих специальностей.