Получение и исследования энергетических спектров и оптических свойств

В работе изложены принципы получения новых сложных полупроводниковых соединений твердых растворов новых бинарных соединений типа АIIIBVI, с помощью теории псевдопотенциала были рассчитаны зонные структуры тройных соединений TlInSe2, TlGaTe2, InGaSe2, TlInTe2, InGaTe2 и выявлено, что их валентную зону можно разделить на три подгруппы. Верхняя группа шириной ~4эВ, обязана своим происхождением p-состояниям TlI, TlII и халькогенидов. Анализ волновых функций валентных состояний показывает, что самая нижняя группа, около -12эВ, состоящая из четырех зон своим происхождением обязана s- состояниям катиона. В зонном спектре s-состояния халькогенидов и s-, d-состояния катионов III группы образуют отдельные группы. Сравнение рассчитанных результатов с имеющимися теоретическими и экспериментальными данными показывает удовлетворительное согласие, в том числе ширины запрещенной зоны вышеуказанных соединений.