LAP Lambert Academic Publishing ( 19.07.2018 )
€ 49,90
В книге обобщены результаты исследований по созданию силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC) и рассмотрены особенности их работы. Приведены варианты конструкций и основные характеристики силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния - диодов Шоттки и транзисторов (биполярных, полевых, с управляющим p-n-переходом, с изолированным затвором и др.). Представлен обзор большого массива современных экспериментальных и теоретических результатов по силовым полупроводниковым приборам на основе SiC (расчетов прямых и обратных вольт-амперных характеристик диодов Шоттки, особенностей «охранных систем», характеристик обратного восстановления, сопротивления диодов при прямом включении, влияния материалов анода на вольт-амперные характеристики диодов Шоттки, расчеты пространственного распределения свободных электронов в МОП-транзисторах со встроенным n-каналом на основе 4H-SiC и др.). Для научных работников и инженеров, занимающихся исследованиями в области физики полупроводников, силовой электроники, физики твердого тела, а также студентов и аспирантов, специализирующихся в этих областях.
Детали книги: |
|
ISBN-13: |
978-620-2-07079-9 |
ISBN-10: |
620207079X |
EAN: |
9786202070799 |
Язык книги: |
Russian |
By (author) : |
Сергей Рыбалка |
Количество страниц: |
128 |
Опубликовано: |
19.07.2018 |
Категория: |
Электроника, электротехника, коммуникационные технологии |