Эффект близости в структурах ферромагнитный изолятор–сверхпроводник

Кристаллические структуры, образованные чередованием слоев ферромагнитного изолятора (FI) и сверхпроводника (S), являются новым классом слоистых веществ с уникальными электронными и магнитными свойствами, зависящими как от свойств материалов FI и S, так и от их толщин.В работе изложены физические основы обменной модели эффекта близости для двухслойных (FI/S) и трехслойных (FI/S/FI) наноструктур, в которой наряду с прямым обменом ближайших соседей по FI-слоям учитывается, что локализованные спины на FI/S-границах взаимодействуют между собой еще и косвенно за счет дальнодействующего обмена РККИ через электроны проводимости сверхпроводника. В рамках модели эффекта близости исследованы возможные варианты взаимной подстройки сверхпроводящего и магнитного параметров порядка. Предложен вариант прибора записи информации, сочетающий сверхпроводящий и магнитный каналы записи в одном FI/S/FI образце. Предназначена для научных работников, преподавателей, аспирантов и студентов.