Инженерия дефектов в технологии полупроводников

Разработка новых приборов или существенное улучшение их параметров нуждаются в развитии физических основ инженерии дефектов в их технологии. Для создания нового поколения силовых высоковольтных приборов (СВП) потребовалась разработка технологии изготовления структур с p-n переходами на основе бездислокационного нейтронно-легированного кремния большого диаметра. В таких структурах доминирующим типом структурных дефектов являются собственные точечные дефекты (СТД) и их комплексы. Поведение СТД при характерных для СВП температурах и временах не было изучено, и отвергалось их участие в формировании электрически активных центров. При зарождении кремниевой оптоэлектроники высказывались сомнения о возможности создания светодиодов на основе кремния, поскольку он является не прямозонным полупроводником. Создание эффективных светодиодов потребовало исследования процессов образования структурных дефектов, электрически и оптически активных центров при легировании кремния ионами эрбия. В книге представлены физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых и светоизлучающих структур. Книга рассчитана на студентов и преподавателей университетов, аспирантов и научных работников.