Кристаллы твердых растворов Ge-Si

В работе решены задачи, связанные с получением сложнолегированных кристаллов твёрдых растворов Ge-Si<Cu, Al, Sb> c заданным распределением основных компонентов и примесей, а также с изучением спектра примесных состояний и электротранспортных явлений в этих материалах. В пфанновском приближении и в рамках модели виртуального кристалла для твёрдых растворов решены математические задачи распределения компонентов и примесей в кристаллах бинарных систем, выращенных традиционным и модернизированным методами Бриджмена. Разработана методика выращивания кристаллов Ge-Si<Al, Sb> c линейно растущей концентрацией кремния вдоль оси кристаллизации. Определены равновесные коэффициенты сегрегации примесей Al и Sb в системе Ge-Si, демонстрирующие линейное изменение этого параметра с составом кристалла между их значениями в Ge и Si. Показано, что математическое моделирование распределения компонентов и примесей в кристаллах Ge-Si, выполненное в принятом в работе приближении, определяет оптимальные значения операционных технологических параметров для выращивания кристаллов с заданным составом и концентрацией примесей вдоль оси кристаллизации.