LAP Lambert Academic Publishing ( 2013-05-08 )
€ 61,90
В работе представлены результаты исследований по получению сложнолегированных кристаллов Ge-Si, с заданным составом и концентрацией примесей меди, индия и сурьмы, а также по электротранспортным свойствам и спектру примесных состояний в этих материалах.В приближении полностью размешенного расплава, решена теоретическая задача по концентрационному распределению основных компонентов и примесей в кристаллах твёрдых растворов, выращенных из расплава консервативными и неконсервативными методами. Показано, что полученные математические соотношения удовлетворительно описывают экспериментальные данные по распределению компонентов и примесей индия и сурьмы в кристаллах германий-кремний. Разработаны методики выращивания и легирования примесями In и Sb кристаллов Ge-Si (0≤х≤0,30) с заданной концентрацией примесей методом направленного концентрационного переохлаждения и консервативным методом Бриджмена. Установлено, что коэффициенты сегрегации исследованных примесей изменяются линейно с составом твёрдых растворов германий-кремний.
Book Details: |
|
ISBN-13: |
978-3-659-38824-8 |
ISBN-10: |
3659388246 |
EAN: |
9783659388248 |
Book language: |
Russian |
By (author) : |
Вюсаля Казимова |
Number of pages: |
152 |
Published on: |
2013-05-08 |
Category: |
Physics, astronomy |