LAP Lambert Academic Publishing ( 18.07.2018 )
€ 71,90
Повышенный интерес к технологии изготовления структур кремний на изоляторе (КНИ) обусловлен возможностью улучшить такие характеристики интегральных схем, как быстродействие, предельная рабочая температура, радиационная стойкость. Благодаря уменьшению геометрических размеров, утечек, паразитных емкостей и повышению изоляционных параметров элементов также можно снизить потребление энергии. Кроме того, приборы на структурах КНИ можно применять в экстремальных условиях эксплуатации. Необходимо отметить, что КНИ- технология является одним из наиболее динамично развивающихся направлений полупроводникового материаловедения. Однако проблема обеспечения высоких электрофизических и функциональных параметров приборов, а также их радиационной стойкости и надежности в существенной мере определяется высокой дефектностью приборных слоев кремния. Для структур «кремний на сапфире» эта дефектность обусловлена, в частности, различием кристаллографического строения кремния и сапфира, а также автолегированием кремниевой пленки алюминием из сапфировой подложки.
Kitap detayları: |
|
ISBN-13: |
978-3-659-63195-5 |
ISBN-10: |
3659631957 |
EAN: |
9783659631955 |
Kitabın dili: |
Russian |
Yazar: |
Арслан Мустафаев |
Sayfa sayısı: |
188 |
Yayın tarihi: |
18.07.2018 |
Kategori: |
Elektronik, elektrik ve haberleşme teknolojileri |