LAP Lambert Academic Publishing ( 2014-11-26 )
€ 61,90
Полупроводник фосфид индия имеет большие перспективы широкого научно-технического использования. Травление фосфида индия в фторсодержащих и хлорсодержащих средах входит в арсенал методов современной микроэлектроники, позволяющих формировать объекты с пониженной размерностью. Пористый InP обладает различными физико-химическими свойствами: фото- и электролюминесценции, адсорбционной чувствительностью, свойствами фотонных кристаллов. Для прикладных целей необходима отработанная, оптимизированная технология формирования por-InP, а также выявление физических закономерностей, которые обеспечат получение пористых слоев с воспроизводимыми характеристиками. Монография посвящена технологическим основам получения пористого InP методом электрохимического травления фосфида индия, изучению люминесцентных, структурных и морфологических свойств пористых слоев InP, влиянию дефектов на процесс порообразования. Монография предназначена для специалистов, работающих в отрасли нанотехнологии, а также для студентов высших учебных заведений.
Book Details: |
|
ISBN-13: |
978-3-659-64298-2 |
ISBN-10: |
3659642983 |
EAN: |
9783659642982 |
Book language: |
Russian |
By (author) : |
Яна Сычикова |
Number of pages: |
132 |
Published on: |
2014-11-26 |
Category: |
Technology |