Кинетика электронных процессов в Si и Ge в полях внешних воздействий

В монографии представлены результаты исследования особенностей изменений кинетических коэффициентов под воздействием облучения, направленной упругой деформации и разных режимов термообработки монокристаллов кремния и германия; проведен анализ влияния примесей технологического происхождения на образование электрически-активных комплексов; изучены пути обеспечения стабильности параметров полупроводниковых систем по отношению к эффективным внешним воздействиям; выяснена роль как плавных (соизмеримых с размерами исследуемых кристаллов), так и высокоградиентных неоднородностей нанообъектов; предложена методология определения параметров с повышенной чувствительностью к остаточным неоднородностям в полупроводниках. Монография предназначена для научных сотрудников и специалистов в области полупроводникового материаловедения и радиационной физики.