Физические основы фотохимии твердого тела

Рассмотрены закономерности фотохимических процессов в неорганических твердых телах: электрон-ионный механизм фотолиза, роль дефектов кристалла и связанных с ними локальных состояний в запрещенной зоне широкозонных полупроводников, влияние внешнего электрического поля, термодинамическая модель фотолиза. Основное внимание уделено электронным и ионным процессам в классических фотохимически чувствительных полупроводниках - галогенидах серебра (полупроводниковые свойства, первичные фотохимические процессы и их развитие, регулирование чувствительности) и в относительно новом соединении - гидриде алюминия (электрофизические свойства, локальные состояния в запрещенной зоне, вакансионный механизм фотолиза, разложение во внешнем электрическом поле). Обсуждаются фотофизические и фотохимические процессы в светочувствительных полупроводниках с адсорбированными красителями: люминесценция красителей, передача электронного фотовозбуждения от красителя полупроводнику, условия для сенсибилизированного фотоэффекта в полупроводнике, спектральная сенсибилизация красителями фотолиза твердого тела.