Эпитаксиальные слои кремния на сапфире, выращенные сублимационной МЛЭ

Структуры кремний-на-сапфире (КНС) используются для создания быстродействующих интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью. В работе приведены результаты исследования монокристаллических субмикронных слоев кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимационного источника Si. Сообщаются некоторые особенности разработанных устройств для роста слоев кремния на сапфире из сублимационного источника Si, расположенного в камере роста сверхвысоковакуумной установки. Рассматриваются вопросы подготовки поверхности сапфира перед ростом путем отжига и исследуются начальные стадии роста слоев кремния, а также влияние технологических параметров роста (температура, скорость, толщина, использование двухтемпературного режима роста, облучение поверхности роста низкоэнергетическими ионами) на структуру и морфологию слоев кремния на сапфире. Отмечается, что температура роста слоев кремния на сапфире в данном методе может быть снижена до 500ºC по сравнению с другими методами. Сообщается о некоторых электрических и оптических параметрах выращенных КНС-структур.