Исследование донорно-акцепторных свойств поверхности

Порошковые полупроводники на основе сульфида цинка широко используются в электронной технике, в световых люминесцентных приборах, в полиграфии, а также при создании средств отображения информации. Поэтому исследование донорно-акцепторных свойств поверхности, строения центров свечения порошковых полупроводниковых структур на основе сульфида цинка актуально и перспективно для контроля и оценки реакционной способности как исходных материалов, так и промежуточных и конечных параметров технологических процессов готовых изделий. С целью изучения поверхности полупроводниковых структур проведены эксперименты по определению гидроемкости образцов [ZnS·CdS:Cu]. Проведены исследования кислотно-основных свойств поверхности фотолюминесцентных [ZnS:Cu,О]-структур. Предложены протонный и апротонный механизмы адсорбции кислотно-основных индикаторов Гаммета поверхностью [ZnS:Cu,О]-структур. Показано, что состояние поверхности порошковых полупроводников на основе сульфида цинка можно контролировать по кислотно-основным спектрам поверхности (КОСП).