h-BN: Влияния дефектов на электронную структуру и магнитные свойства

Квантово-химических расчеты показывают зависимость стабильности вакансий монослоя гексагонального нитрида бора от деформации ячейки. Наиболее стабильными являются вакансии атомов азота вне зависимости от деформации монослоя. Расчеты электронной структуры монослоя гексагонального нитрида бора с вакансией бора, азота, бивакансией или адатомом бора или азота приводит к появлению внедренных состояний в области запрещенной зоны. Все внедренные состояния локализованы на атомах, окружающих дефект. В случае вакансии бора и азота в монослое гексагонального нитрида бора появляется магнитный момент, величина которого зависит от относительной деформации ячейки. Появляется возможность магнитного упорядочения в монослое гексагонального нитрида бора, при этом расстояние между вакансиями в монослое h-BN оказывает влияние на магнитное упорядочение. В ходе процесса моделирования миграции адатома бора по поверхности монослоя гексагонального нитрида бора, показано, что, что данный тип будет достаточно быстро перемещаться по поверхности, в отличие от адатомов азота. Реализация данных исследований экспериментально позволит получать материалы с заданными свойствами для применения в наноэлектронике.