LAP Lambert Academic Publishing ( 02.10.2014 )
€ 44,90
Среди большого класса полупроводниковых материалов существует небольшое количество элементов, физические явления в которых, не смотря на более чем полувековую историю исследования, являются предметом постоянного всестороннего внимания. К ним относятся те полупроводники, технология получения которых позволяет создать совершенные по структуре монокристаллы с малым содержанием остаточных примесей, что позволяет проводить любое дозированное легирование и компенсацию, то есть создание полупроводников с заданными параметрами. Последнее обеспечивает, с одной стороны, широкое практическое использование этих материалов, с другой - позволяет моделировать целый ряд физических явлений.Книга содержит целый ряд параметров и коэффициентов для Ge и Si, значения которых были уточнены в результате многократных измерений большого числа образцов (более 200) в широком диапазоне значений концентрации примеси и степени их компенсации. Эта информация может быть особенно полезна тем научным сотрудникам и аспирантам, которые занимаются полупроводниковой метрикой, технологам, получающим эти материалы и контролирующим их качество, а также студентам, интересующимся полупроводниковой тематикой.
Детали книги: |
|
ISBN-13: |
978-3-659-30174-2 |
ISBN-10: |
3659301744 |
EAN: |
9783659301742 |
Язык книги: |
Russian |
By (author) : |
Вера Банная |
Количество страниц: |
136 |
Опубликовано: |
02.10.2014 |
Категория: |
Монографии |