LAP Lambert Academic Publishing ( 24.04.2013 )
€ 39,90
Нитрид галлиевые структуры, которые широко используются в электронных и оптоэлектронных приборах, в настоящее время преимущественно выращивают на сапфировых и карбид-кремниевых подложках. В последнее время возник интерес к получению таких структур на кремниевой подложке. Это обусловлено перспективами интеграции нитрид-галлиевой и кремниевой электроники, возможностью использования подложек больших (до 300 мм) размеров, их низкой стоимостью, хорошей электрической проводимостью. В обзоре представлены экспериментальные результаты эпитаксиального роста, наиболее дешевым методом - методом газофазной хлоридно-гидридной эпитаксии, слоев нитридов галлия и алюминия на кремниевой подложке. Обсуждается новый подход подавления процесса образования дислокаций и одновременного снижения упругой деформации в нитридных слоях на подложке кремния за счёт применения тонкого дополнительного слоя карбида кремния. Авторами рассмотрены возможности эпитаксиального роста слоев нитрида галлия в полуполярном направлении на планарной подложке кремния. Книга будет полезна как студентам и аспирантам, так и профессионалам в области гетероэпитаксии слоев на кремнии.
Детали книги: |
|
ISBN-13: |
978-3-659-35832-6 |
ISBN-10: |
3659358320 |
EAN: |
9783659358326 |
Язык книги: |
Russian |
By (author) : |
Елена Коненкова |
Количество страниц: |
72 |
Опубликовано: |
24.04.2013 |
Категория: |
Физика, астрономия |